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タイトル: | Ga2O3 thin film growth on c-plane sapphire substrates by molecular beam epitaxy for deep-ultraviolet photodetectors |
著者: | Oshima, Takayoshi Okuno, Takeya Fujita, Shizuo ![]() ![]() ![]() |
キーワード: | Ga2O3 molecular beam epitaxy c-plane sapphire deep-ultraviolet photodetector |
発行日: | 2007 |
出版者: | INST PURE APPLIED PHYSICS |
誌名: | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS |
巻: | 46 |
号: | 11 |
開始ページ: | 7217 |
終了ページ: | 7220 |
URI: | http://hdl.handle.net/2433/67263 |
DOI(出版社版): | 10.1143/JJAP.46.7217 |
リンク: | Web of Science |
出現コレクション: | 英文論文データベース |

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