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タイトル: | Radiative carrier recombination dependent on temperature and well width of InGaN/GaN single quantum well |
著者: | Sasaki, A Nishizuka, K Wang, T Sakai, S Kaneta, A Kawakami, Y ![]() ![]() Fujita, S ![]() ![]() ![]() |
キーワード: | quantum wells optical properties, excitons luminescence |
発行日: | 2004 |
出版者: | PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD |
誌名: | SOLID STATE COMMUNICATIONS |
巻: | 129 |
号: | 1 |
開始ページ: | 31 |
終了ページ: | 35 |
URI: | http://hdl.handle.net/2433/7058 |
DOI(出版社版): | 10.1016/j.ssc.2003.09.018 |
リンク: | Web of Science |
出現コレクション: | 英文論文データベース |

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