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タイトル: Radiative carrier recombination dependent on temperature and well width of InGaN/GaN single quantum well
著者: Sasaki, A
Nishizuka, K
Wang, T
Sakai, S
Kaneta, A
Kawakami, Y  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0003-3752-1507 (unconfirmed)
Fujita, S  kyouindb  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0001-6384-6693 (unconfirmed)
キーワード: quantum wells
optical properties, excitons
luminescence
発行日: 2004
出版者: PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD
誌名: SOLID STATE COMMUNICATIONS
巻: 129
号: 1
開始ページ: 31
終了ページ: 35
URI: http://hdl.handle.net/2433/7058
DOI(出版社版): 10.1016/j.ssc.2003.09.018
リンク: Web of Science
出現コレクション:英文論文データベース

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