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タイトル: High-purity and thick 4H-and 6H-SiC(0001) epitaxial growth by cold-wall chemical vapor deposition and high-voltage pin diodes
著者: Tamura, S
Fujihira, K
Kimoto, T  kyouindb  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)
Matsunami, H
キーワード: silicon carbide
chemical vapor deposition
photoluminescence
pin diode
power device
発行日: 2001
出版者: INST PURE APPLIED PHYSICS
誌名: JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS
巻: 40
号: 4A
開始ページ: L319
終了ページ: L322
URI: http://hdl.handle.net/2433/7714
DOI(出版社版): 10.1143/JJAP.40.L319
リンク: Web of Science
出現コレクション:英文論文データベース

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