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| タイトル: | High-purity and thick 4H-and 6H-SiC(0001) epitaxial growth by cold-wall chemical vapor deposition and high-voltage pin diodes |
| 著者: | Tamura, S Fujihira, K Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, H |
| キーワード: | silicon carbide chemical vapor deposition photoluminescence pin diode power device |
| 発行日: | 2001 |
| 出版者: | INST PURE APPLIED PHYSICS |
| 誌名: | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS |
| 巻: | 40 |
| 号: | 4A |
| 開始ページ: | L319 |
| 終了ページ: | L322 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/7714 |
| DOI(出版社版): | 10.1143/JJAP.40.L319 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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