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| タイトル: | Improvement of Channel Mobility in Inversion-Type n-Channel GaN Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor by High-Temperature Annealing |
| 著者: | Yamaji, Kazuki Noborio, Masato Suda, Jun  Kimoto, Tsunenobu   https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed) |
| キーワード: | GaN MOSFET channel mobility interface state density |
| 発行日: | 2008 |
| 出版者: | INST PURE APPLIED PHYSICS |
| 誌名: | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS |
| 巻: | 47 |
| 号: | 10(Part 1) |
| 開始ページ: | 7784 |
| 終了ページ: | 7787 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/78604 |
| DOI(出版社版): | 10.1143/JJAP.47.7784 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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