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タイトル: Improved Performance of 4H-SiC Double Reduced Surface Field Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors by Increasing RESURF Doses
著者: Noborio, Masato
Suda, Jun  KAKEN_id
Kimoto, Tsunenobu  kyouindb  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)
発行日: 2008
出版者: INST PURE APPLIED PHYSICS
誌名: APPLIED PHYSICS EXPRESS
巻: 1
号: 10
論文番号: 101403
URI: http://hdl.handle.net/2433/78605
DOI(出版社版): 10.1143/APEX.1.101403
リンク: Web of Science
出現コレクション:英文論文データベース

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