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タイトル: Nonpolar 4H-AlN grown on 4H-SiC (1(1)over-bar00) with reduced stacking fault density realized by persistent layer-by-layer growth
著者: Horita, Masahiro
Kimoto, Tsunenobu  kyouindb  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)
Suda, Jun
発行日: 2008
出版者: AMER INST PHYSICS
誌名: APPLIED PHYSICS LETTERS
巻: 93
号: 8
論文番号: 082106
URI: http://hdl.handle.net/2433/78609
DOI(出版社版): 10.1063/1.2976559
リンク: Web of Science
出現コレクション:英文論文データベース

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