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タイトル: The temperature dependence of the refractive indices of GaN and AlN from room temperature up to 515 degrees C
著者: Watanabe, Naoki
Kimoto, Tsunenobu  kyouindb  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)
Suda, Jun  KAKEN_id
キーワード: aluminium compounds
gallium compounds
III-V semiconductors
refractive index
wide band gap semiconductors
発行日: 15-Nov-2008
出版者: American Institute of Physics
誌名: JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
巻: 104
号: 10
論文番号: 106101
抄録: The temperature dependence of the refractive indices of GaN and AlN was investigated in the wavelength range from the near band edge (367 nm for GaN and 217 nm for AlN) to 1000 nm and the temperature range from room temperature to 515 °C. Optical interference measurements with vertical incident configuration were employed to precisely evaluate the ordinary refractive indices.
著作権等: Copyright 2008 American Institute of Physics. This article may be downloaded for personal use only. Any other use requires prior permission of the author and the American Institute of Physics.
URI: http://hdl.handle.net/2433/84572
DOI(出版社版): 10.1063/1.3021148
関連リンク: http://link.aip.org/link/?JAPIAU/104/106101/1
出現コレクション:学術雑誌掲載論文等

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