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タイトル: | High channel mobility in inversion layer of SiC MOSFETs for power switching transistors |
著者: | Yano, H Hirao, T Kimoto, T https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed) Matsunami, H |
キーワード: | MOSFET (1120) face 4H-SiC 6H-SIC 15R-SiC inversion channel mobility threshold voltage anisotropy near-interfacial oxide traps |
発行日: | 2000 |
出版者: | JAPAN J APPLIED PHYSICS |
誌名: | JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS |
巻: | 39 |
号: | 4B |
開始ページ: | 2008 |
終了ページ: | 2011 |
URI: | http://hdl.handle.net/2433/8473 |
DOI(出版社版): | 10.1143/JJAP.39.2008 |
リンク: | Web of Science |
出現コレクション: | 英文論文データベース |
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