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| タイトル: | Effects of wet oxidation/anneal on interface properties of thermally oxidized SiO2/SiC MOS system and MOSFET's |
| 著者: | Yano, H Katafuchi, F Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, H |
| キーワード: | deep interface states fixed oxide charges interface MOS MOSFET's reoxidation anneal silicon carbide wet oxidation |
| 発行日: | 1999 |
| 出版者: | IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC |
| 誌名: | IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES |
| 巻: | 46 |
| 号: | 3 |
| 開始ページ: | 504 |
| 終了ページ: | 510 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/8475 |
| DOI(出版社版): | 10.1109/16.748869 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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