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書誌情報 | ファイル |
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Narrow Gap Semiconductor (NGS)表面反転層(基研短期研究会「固体内のフォノンおよび電子表面状態の理論」報告) 大川, 房義 (1973-10-20) 物性研究, 21(1): F68-F72 | |
界面状態の理論(基研短期研究会「固体内のフォノンおよび電子表面状態の理論」報告) 小野, 正利 (1973-10-20) 物性研究, 21(1): F49-F53 | |
強磁性Ni薄膜の表面状態(基研短期研究会「固体内のフォノンおよび電子表面状態の理論」報告) 寺倉, 清之 (1973-10-20) 物性研究, 21(1): F56-F58 | |
第1日(午前の部) (1973-10-20) 物性研究, 21(1): F3-F3 | |
Exact Eigenstates of the Pairing-Force-Hamiltonian. I Fermion System 下瀬, 育郎; 秋吉, 康光 (1973-10-20) 物性研究, 21(1): 54-59 | |
強磁場下のMOS反転層(多体効果によるSpin,valley分離のenhancementの可能性)(基研短期研究会「固体内のフォノンおよび電子表面状態の理論」報告) 安藤, 恒也 (1973-10-20) 物性研究, 21(1): F64-F65 | |
第1日(午後の部) (1973-10-20) 物性研究, 21(1): F9-F9 | |
表紙・投稿規定・プレプリント・編集後記・目次・裏表紙ほか (1973-10-20) 物性研究, 21(1): 78-86 | |
Introductory Talk 植村, 泰忠 (1973-10-20) 物性研究, 21(1): F4-F6 | |
表面弾性波と電子の相互作用(基研短期研究会「固体内のフォノンおよび電子表面状態の理論」報告) 御子柴, 宣夫; 早川, 尚夫; 鳳, 紘一郎; 高田, 進 (1973-10-20) 物性研究, 21(1): F10-F36 |
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発行日
- 22 1973
資料種別