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31. 量子ホール効果とクローン相互作用(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
  吉岡, 大二郎 (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 104-106
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32. 二次元強磁場における電子軌道の局在(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
  長岡, 洋介 (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 107-109
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35. A.C. Conductivity and the Electron Localization in Si MOS-FET under High Magnetic Fields(Experiments,IV. Quantized Hall Effects)
  Miura, N., Isawa, Y. (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 116-118
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33. A. Possible Liratation of the Precision of h/e^2 Determined from the Qnantum Hall Effect(Experiments,IV. Quantized Hall Effects)
  Kinoshita, J., Yoshihiro, K. (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 110-112
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34. シリコンMOSFETの量子ホール効果における、電流、磁場、基板バイアス、および周波数等の影響(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
  若林, 淳一 (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 113-115
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27. Theory of Quantized Hall Effect and Localization(Theories,IV. Quantized Hall Effects)
  ANDO, Tsuneya (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 90-93
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30. 非整数量子ホール効果とCDWモデル(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
  倉本, 義夫 (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 100-103
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24. 1次元アンダーソン局在系の動的応答 : 計算機実験と厳密解(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
  佐宗, 哲郎, 金, 昌一 (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 82-84
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23. Electric Field Dependence of Conductivity and Magnetoconductance in Si MOSFETs in Weakly Localized Regime(Electric Field Effects,II Two Dimensional Systems)
  KAWAGUCHI, Yoichi (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 79-81
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26. Soliton Conduction in Polyacetilene(CH)_X(Experiment,III. One Dimensional Systems)
  Ikehata, S. (1983-07-20)
  物性研究, 40(4): 87-89
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