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タイトル: Fast epitaxial growth of 4H-SiC by chimney-type hot-wall CVD
著者: Fujihira, K
Kimoto, T  kyouindb  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)
Matsunami, H
キーワード: 4H-SiC (0338) plane
chemical vapor deposition CVD
deep levels
photoluminescence
発行日: 2002
出版者: TRANS TECH PUBLICATIONS LTD
誌名: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS
巻: 389-3
開始ページ: 175
終了ページ: 178
URI: http://hdl.handle.net/2433/8739
リンク: Web of Science
出現コレクション:英文論文データベース

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