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| タイトル: | Fast epitaxial growth of high-quality 4H-SiC by vertical hot-wall CVD |
| 著者: | Fujihira, K Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, H |
| キーワード: | deep level transient spectroscopy fast epitaxy morphology photoluminescence |
| 発行日: | 2002 |
| 出版者: | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD |
| 誌名: | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 2002 |
| 巻: | 433-4 |
| 開始ページ: | 161 |
| 終了ページ: | 164 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/8740 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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