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| タイトル: | Optical-capacitance-transient spectroscopy study for deep levels in 4H-SiC epilayer grown by cold wall chemical vapor deposition |
| 著者: | Kato, M Tanaka, S Ichimura, M Arai, E Nakamura, S Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed) |
| キーワード: | cold wall CVD deep level optical-capacitance-transient spectroscopy optical excitation energy configuration coordinate diagram |
| 発行日: | 2005 |
| 出版者: | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD |
| 誌名: | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004 |
| 巻: | 483 |
| 開始ページ: | 381 |
| 終了ページ: | 384 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/8782 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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