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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Kimoto, T | en |
| dc.contributor.author | Yano, H | en |
| dc.contributor.author | Tamura, S | en |
| dc.contributor.author | Miyamoto, N | en |
| dc.contributor.author | Fujihira, K | en |
| dc.contributor.author | Negoro, Y | en |
| dc.contributor.author | Matsunami, H | en |
| dc.date.accessioned | 2007-03-28T03:35:07Z | - |
| dc.date.available | 2007-03-28T03:35:07Z | - |
| dc.date.issued | 2000 | - |
| dc.identifier.issn | 0255-5476 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/8795 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD | en |
| dc.subject | SiC-(1120) | en |
| dc.subject | homoepitaxial growth | en |
| dc.subject | ion implantation | en |
| dc.subject | MOSFET | en |
| dc.subject | pin diode | en |
| dc.title | Recent progress in SiC epitaxial growth and device processing technology | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS, ECSCRM2000 | en |
| dc.identifier.volume | 353-3 | - |
| dc.identifier.spage | 543 | - |
| dc.identifier.epage | 548 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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