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タイトル: | Formation of deep pn junctions by MeV Al- and B-ion implantations into 4H-SiC and reverse characteristics |
著者: | Miyamoto, N Saitoh, A Kimoto, T https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed) Matsunami, H Hishida, Y Watanabe, M |
キーワード: | electrical activation ion implantation pn junction diode |
発行日: | 2000 |
出版者: | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD |
誌名: | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 1999 PTS, 1 & 2 |
巻: | 338-3 |
開始ページ: | 1347 |
終了ページ: | 1350 |
URI: | http://hdl.handle.net/2433/8818 |
リンク: | Web of Science |
出現コレクション: | 英文論文データベース |
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