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| タイトル: | Flat surface after high-temperature annealing for phosphorus-ion implanted 4H-SiC (0001) using graphite cap |
| 著者: | Negoro, Y Katsumoto, K Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, H |
| キーワード: | Hall effect phosphorus-ion implantation sheet resistance graphite cap |
| 発行日: | 2004 |
| 出版者: | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD |
| 誌名: | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2 |
| 巻: | 457-460 |
| 開始ページ: | 933 |
| 終了ページ: | 936 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/8840 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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