ダウンロード数: 0
このアイテムのファイル:
このアイテムに関連するファイルはありません。
| タイトル: | Low sheet resistance of high-dose aluminum implanted 4H-SiC using (11-20) face |
| 著者: | Negoro, Y Katsumoto, K Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, H Schmid, F Pensl, G |
| キーワード: | (11-20) Hall effect ion implantation sheet resistance |
| 発行日: | 2004 |
| 出版者: | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD |
| 誌名: | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2 |
| 巻: | 457-460 |
| 開始ページ: | 913 |
| 終了ページ: | 916 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/8841 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。