このアイテムのアクセス数: 0
このアイテムのファイル:
このアイテムに関連するファイルはありません。
| タイトル: | Electrical behavior of implanted aluminum and boron near tall region in 4H-SiC after high-temperature annealing |
| 著者: | Negoro, Y Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, H |
| キーワード: | implantation DLTS ICTS annealing diffusion |
| 発行日: | 2005 |
| 出版者: | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD |
| 誌名: | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004 |
| 巻: | 483 |
| 開始ページ: | 617 |
| 終了ページ: | 620 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/8842 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。