ダウンロード数: 0
このアイテムのファイル:
このアイテムに関連するファイルはありません。
| タイトル: | Technological aspects of ion implantation in SiC device processes |
| 著者: | Negoro, Y Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, H |
| キーワード: | implantation device process annealing diffusion (11-20) face graphite cap |
| 発行日: | 2005 |
| 出版者: | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD |
| 誌名: | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004 |
| 巻: | 483 |
| 開始ページ: | 599 |
| 終了ページ: | 604 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/8843 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。