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| タイトル: | Phosphorus ion implantation into 4H-SiC (0001) and (11(2)over-bar0) |
| 著者: | Negoro, Y Miyamoto, N Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, H |
| キーワード: | 4H-SiC (11(2)over-bar0) plane P+ implantation |
| 発行日: | 2002 |
| 出版者: | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD |
| 誌名: | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS |
| 巻: | 389-3 |
| 開始ページ: | 783 |
| 終了ページ: | 786 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/8845 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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