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| タイトル: | 4H-SiC epitaxial growth on SiC substrates with various off-angles |
| 著者: | Saitoh, H Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed) |
| キーワード: | homoepitaxial growth off-angle chemical vapor deposition C/Si ratio carrier concentration |
| 発行日: | 2005 |
| 出版者: | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD |
| 誌名: | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004 |
| 巻: | 483 |
| 開始ページ: | 89 |
| 終了ページ: | 92 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/8861 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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