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タイトル: Origin of leakage current in SiC Schottky barrier diodes at high temperature
著者: Saitoh, HS
Kimoto, T  kyouindb  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)
Matsunami, H
キーワード: Schottky barrier diode
leakage current
dislocation
barrier height
発行日: 2004
出版者: TRANS TECH PUBLICATIONS LTD
誌名: SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2003, PTS 1 AND 2
巻: 457-460
開始ページ: 997
終了ページ: 1000
URI: http://hdl.handle.net/2433/8863
リンク: Web of Science
出現コレクション:英文論文データベース

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