Schottky barriers for Pt on 6H-and 4H-SiC (0001), (000(1)over-bar), (1(1)over-bar00) and (1(2)over-bar10) faces measured by I-V, C-V and internal photoemission

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タイトル:	Schottky barriers for Pt on 6H-and 4H-SiC (0001), (000(1)over-bar), (1(1)over-bar00) and (1(2)over-bar10) faces measured by I-V, C-V and internal photoemission
著者:	Shigiltchoff, O Kimoto, T https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed) Hobgood, D Neudeck, PG Porter, LM Devaty, RP Choyke, WJ
キーワード:	breakdown C-V measurements I-V internal photoemission Schottky barrier
発行日:	2002
出版者:	TRANS TECH PUBLICATIONS LTD
誌名:	SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS
巻:	389-3
開始ページ:	921
終了ページ:	924
URI:	http://hdl.handle.net/2433/8876
リンク:	Web of Science
出現コレクション:	英文論文データベース

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