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| タイトル: | Improved surface morphology and background doping concentration in 4H-SiC(000-1) epitaxial growth by hot-wall CVD |
| 著者: | Wada, A Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Nishikawa, K Matsunami, H |
| キーワード: | hot-wall CVD C face homoepitaxy deep level |
| 発行日: | 2005 |
| 出版者: | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD |
| 誌名: | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2004 |
| 巻: | 483 |
| 開始ページ: | 85 |
| 終了ページ: | 88 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/8904 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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