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| タイトル: | Anisotropy of inversion channel mobility in 4H-and 6H-SIC MOSFETs on (11(2)over-bar0) face |
| 著者: | Yano, H Hirao, T Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, H Asano, K Sugawara, Y |
| キーワード: | (1120) face anisotropy electron trap inversion channel mobility MOSFETs scattering mechanisms threshold voltage |
| 発行日: | 2000 |
| 出版者: | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD |
| 誌名: | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 1999 PTS, 1 & 2 |
| 巻: | 338-3 |
| 開始ページ: | 1105 |
| 終了ページ: | 1108 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/8918 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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