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タイトル: Effects of oxidation/anneal atmosphere on SiC MOS interface and MOSFETs
著者: Yano, H
Katafuchi, F
Kimoto, T  kyouindb  KAKEN_id  orcid https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)
Matsunami, H
発行日: 1999
出版者: IOP PUBLISHING LTD
誌名: COMPOUND SEMICONDUCTORS 1998
号: 162
開始ページ: 723
終了ページ: 728
URI: http://hdl.handle.net/2433/8919
リンク: Web of Science
出現コレクション:英文論文データベース

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