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| タイトル: | MOSFET performance of 4H-, 6H-, and 15R-SiC processed by dry and wet oxidation |
| 著者: | Yano, H Kimoto, T    https://orcid.org/0000-0002-6649-2090 (unconfirmed)Matsunami, H Bassler, M Pensl, G |
| キーワード: | 15R-SiC channel mobility interface state MOSFETs near-interface traps polytype threshold voltage |
| 発行日: | 2000 |
| 出版者: | TRANS TECH PUBLICATIONS LTD |
| 誌名: | SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 1999 PTS, 1 & 2 |
| 巻: | 338-3 |
| 開始ページ: | 1109 |
| 終了ページ: | 1112 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/8920 |
| リンク: | Web of Science |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース |
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