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dc.contributor.author若林, 淳一ja
dc.contributor.alternativeWakabayashi, J.en
dc.contributor.transcriptionワカバヤシja
dc.date.accessioned2010-01-07T09:31:06Z-
dc.date.available2010-01-07T09:31:06Z-
dc.date.issued1983-07-20-
dc.identifier.issn0525-2997-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/91063-
dc.descriptionこの論文は国立情報学研究所の電子図書館事業により電子化されました。ja
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isojpn-
dc.publisher物性研究刊行会ja
dc.subject.ndc428-
dc.title34. シリコンMOSFETの量子ホール効果における、電流、磁場、基板バイアス、および周波数等の影響(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)ja
dc.title.alternative34. Influence of Current, Magnetic Field, Substrate Bias and Frequency on Quantized Hall Effect in Si MOSFET(Experiments,IV. Quantized Hall Effects)en
dc.typedepartmental bulletin paper-
dc.type.niitypeDepartmental Bulletin Paper-
dc.identifier.ncidAN0021948X-
dc.identifier.jtitle物性研究ja
dc.identifier.volume40-
dc.identifier.issue4-
dc.identifier.spage113-
dc.identifier.epage115-
dc.textversionpublisher-
dc.sortkey51-
dc.address学習院大・理ja
dcterms.accessRightsopen access-
出現コレクション:Vol.40 No.4

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