2026-09-26T11:23:31Zhttps://repository.kulib.kyoto-u.ac.jp/server/oai/request

oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/2445532026-09-24T00:30:01Zcom_2433_48884col_2433_8949

木本, 恒暢 川上, 養一 杉山, 和彦 Nakazawa, Satoshi 中澤, 敏志 ナカザワ, サトシ 2019-11-01T02:10:52Z 2019-11-01T02:10:52Z 2019-09-24 2019-09-24 http://hdl.handle.net/2433/244553 14301甲第22072号 10.14989/doctor.k22072 14301 application/pdf eng Kyoto University 京都大学 許諾条件により本文は2026-09-24に公開 学位規則第9条第2項により要約公開 許諾条件により要約は2020-09-23に公開 Gallium Nitride Polarization Heterojunction Field-Effect Transistors Metal-Insulator-Semiconductor gate High frequency 500 Interface Charge Engineering in AlGaN/GaN Heterostructures for GaN Power Devices AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタの特性改善に向けた界面電荷制御 doctoral thesis Thesis or Dissertation ETD 京都大学 0048 新制・課程博士 博士(工学) 甲第22072号 工博第4653号 新制||工||1725(附属図書館) 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 (主査)教授 木本 恒暢, 教授 川上 養一, 准教授 杉山 和彦 学位規則第4条第1項該当 Doctor of Philosophy (Engineering) Kyoto University DFAM ykogk04653.pdf gkogk04653.pdf dkogk04653.pdf 2020-09-23 2026-09-24 abstract summary fulltext application/pdf application/pdf application/pdf open access 2020-09-23 Supervisor Supervisor Supervisor 木本, 恒暢 川上, 養一 杉山, 和彦open.access