2026-09-26T12:36:09Zhttps://repository.kulib.kyoto-u.ac.jp/server/oai/requestoai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/2961072026-08-28T18:11:15Zcom_2433_48884col_2433_8949
Mikami, Kyota
三上, 杏太
ミカミ, キョウタ
2025-08-22T05:04:52Z
2025-08-22T05:04:52Z
2025-03-24
2025-03-24
http://hdl.handle.net/2433/296107
10.14989/doctor.k26014
14301
付記する学位プログラム名: 京都大学卓越大学院プログラム「先端光・電子デバイス創成学」
京都大学
新制・課程博士
博士(工学)
甲第26014号
工博第5379号
新制||工||2018(附属図書館)
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
(主査)教授 木本 恒暢, 教授 川上 養一, 特定教授 浅野 卓
学位規則第4条第1項該当
Doctor of Philosophy (Engineering)
Kyoto University
DFAM
eng
Kyoto University
京都大学
許諾条件により本文は2026-03-20に公開
Silicon Carbide
MOSFETs
Channel Mobility
Threshold Voltage
Interface States
p-channel
500
Study on Channel Mobility and Threshold Voltage Towards SiC CMOS Devices
SiC CMOSに向けたチャネル移動度およびしきい値電圧の研究
doctoral thesis
Thesis or Dissertation
ETD
dkogk05379.pdf
ykogk05379.pdf
2026-03-20
fulltext
abstract
application/pdf
application/pdf
Dissertation_全文
Abstract_要旨
open access
2026-03-20
Supervisor
Supervisor
Supervisor
木本, 恒暢
川上, 養一
浅野, 卓open.access