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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| 2.0121506jss.pdf | 796.8 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Characterization of Plasma Process-Induced Latent Defects in Surface and Interface Layer of Si Substrate |
| 著者: | Nakakubo, Yoshinori Eriguchi, Koji    https://orcid.org/0000-0003-1485-5897 (unconfirmed)Ono, Kouichi |
| 著者名の別形: | 江利口, 浩二 |
| キーワード: | capacitance defect Plasma damage silicon spectroscopic ellipsometry |
| 発行日: | 14-Feb-2015 |
| 出版者: | Electrochemical Society |
| 誌名: | ECS Journal of Solid State Science and Technology |
| 巻: | 4 |
| 号: | 6 |
| 開始ページ: | N5077 |
| 終了ページ: | N5083 |
| 著作権等: | © The Author(s) 2015. Published by ECS.This is an open access article distributed under the terms of the Creative Commons Attribution Non-Commercial No Derivatives 4.0 License (CC BY-NC-ND, http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/), which permits non-commercial reuse, distribution, and reproduction in any medium, provided the original work is not changed in any way and is properly cited. For permission for commercial reuse, please email: oa@electrochem.org. |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/210585 |
| DOI(出版社版): | 10.1149/2.0121506jss |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
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