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| 書誌情報 | ファイル |
|---|---|
| High temperature deep level transient spectroscopy investigations of n-type 4H-SiC epitaxial layers Schoner, A; Fujihira, K; Kimoto, T; Matsunami, H (2002) SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS - 2002, 433-4: 387-390 |