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dc.contributor.authorBanal, Ryan G.en
dc.contributor.authorFunato, Mitsuruen
dc.contributor.authorKawakami, Ybichien
dc.date.accessioned2010-04-19T05:50:36Z-
dc.date.available2010-04-19T05:50:36Z-
dc.date.issued2009-
dc.identifier.issn0022-0248-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/108909-
dc.language.isoeng-
dc.publisherELSEVIER SCIENCE BVen
dc.subjectMetal-organic vapor-phase epitaxyen
dc.subjectNitridesen
dc.subjectSemiconducting III-V materialsen
dc.titleGrowth characteristics of AlN on sapphire substrates by modified migration-enhanced epitaxyen
dc.typeconference paper-
dc.type.niitypeConference Paper-
dc.identifier.jtitleJOURNAL OF CRYSTAL GROWTHen
dc.identifier.volume311-
dc.identifier.issue10-
dc.identifier.spage2834-
dc.identifier.epage2836-
dc.relation.doi10.1016/j.jcrysgro.2009.01.023-
dc.textversionnone-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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