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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Zippelius, B. | en |
| dc.contributor.author | Beljakowa, S. | en |
| dc.contributor.author | Krieger, M. | en |
| dc.contributor.author | Pensl, G. | en |
| dc.contributor.author | Reshanov, S. A. | en |
| dc.contributor.author | Noborio, M. | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, T. | en |
| dc.contributor.author | Afanas'ev, V. V. | en |
| dc.date.accessioned | 2010-04-19T05:59:41Z | - |
| dc.date.available | 2010-04-19T05:59:41Z | - |
| dc.date.issued | 2009 | - |
| dc.identifier.issn | 1862-6300 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/109590 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | WILEY-V C H VERLAG GMBH | en |
| dc.title | High electron mobility achieved in n-channel 4H-SiC MOSFETs oxidized in the presence of nitrogen | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE | en |
| dc.identifier.volume | 206 | - |
| dc.identifier.issue | 10 | - |
| dc.identifier.spage | 2363 | - |
| dc.identifier.epage | 2373 | - |
| dc.relation.doi | 10.1002/pssa.200925089 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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