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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Noborio, Masato | en |
| dc.contributor.author | Suda, Jun | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, Tsunenobu | en |
| dc.date.accessioned | 2010-04-19T05:59:50Z | - |
| dc.date.available | 2010-04-19T05:59:50Z | - |
| dc.date.issued | 2009 | - |
| dc.identifier.issn | 0741-3106 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/109602 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC | en |
| dc.subject | Breakdown voltage | en |
| dc.subject | MOSFET | en |
| dc.subject | on-resistance | en |
| dc.subject | reduced surface field (RESURF) | en |
| dc.subject | silicon carbide (SiC) | en |
| dc.title | 1580-V-40-m Omega . cm(2) Double-RESURF MOSFETs on 4H-SiC (000(1)over-bar) | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | en |
| dc.identifier.volume | 30 | - |
| dc.identifier.issue | 8 | - |
| dc.identifier.spage | 831 | - |
| dc.identifier.epage | 833 | - |
| dc.relation.doi | 10.1109/LED.2009.2023540 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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