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dc.contributor.authorSekiguchi, K.en
dc.contributor.authorArakawa, T.en
dc.contributor.authorYamauchi, Y.en
dc.contributor.authorChida, K.en
dc.contributor.authorYamada, M.en
dc.contributor.authorTakahashi, H.en
dc.contributor.authorChiba, D.en
dc.contributor.authorKobayashi, K.en
dc.contributor.authorOno, T.en
dc.contributor.alternative関口, 康爾ja
dc.date.accessioned2010-10-01T02:26:28Z-
dc.date.available2010-10-01T02:26:28Z-
dc.date.issued2010-06-21-
dc.identifier.issn0003-6951-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/126662-
dc.description.abstractThe electron transport through the CoFeB/MgO/CoFeB-based magnetic tunneling junction (MTJ) was studied by the shot noise measurement. The obtained Fano factor to characterize the shot noise is very close to unity, indicating the full shot noise, namely, the shot noise in the Schottky limit, both in the parallel and antiparallel magnetization configurations. This means the Poissonian process of the electron tunneling and the absence of the electron–electron correlation in the low bias regime. The shot noise measurements will be a good guideline to make up tunneling criteria for designing MTJ-based spin devices.en
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isoeng-
dc.publisherAmerican Institute of Physicsen
dc.rights© 2010 American Institute of Physics.en
dc.titleObservation of full shot noise in CoFeB/MgO/CoFeB-based magnetic tunneling junctionsen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.ncidAA00543431-
dc.identifier.jtitleApplied Physics Lettersen
dc.identifier.volume96-
dc.identifier.issue25-
dc.relation.doi10.1063/1.3456548-
dc.textversionpublisher-
dc.identifier.artnum252504-
dcterms.accessRightsopen access-
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