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タイトル: Characterization of SiC Power Transistors for Power Conversion Circuits Based on C-V Measurement
その他のタイトル: SiCパワートランジスタのC-V測定に基づく電力変換回路のための特性評価
著者: Phankong, Nathabhat
キーワード: SiC
MOSFET
JFET
C-V characteristics
Switching behavior
Device structure
発行日: 24-Sep-2010
出版者: 京都大学 (Kyoto University)
学位授与大学: 京都大学
学位の種類: 新制・課程博士
取得分野: 博士(工学)
報告番号: 甲第15668号
学位記番号: 工博第3326号
metadata.dc.date.granted: 2010-09-24
請求記号: 新制||工||1502(附属図書館)
整理番号: 28205
研究科・専攻: 京都大学大学院工学研究科電気工学専攻
論文調査委員: (主査)教授 引原 隆士, 教授 木本 恒暢, 教授 和田 修己
学位授与の要件: 学位規則第4条第1項該当
著作権等: 許諾条件により要旨・本文は2011-09-23に公開
DOI: 10.14989/doctor.k15668
URI: http://hdl.handle.net/2433/126807
出現コレクション:090 博士(工学)

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