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ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
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ykogk03326.pdf | Abstract_要旨 | 164.36 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
D_Phankong_Nathabhat.pdf | Dissertation_全文 | 2.96 MB | Adobe PDF | 見る/開く |
タイトル: | Characterization of SiC Power Transistors for Power Conversion Circuits Based on C-V Measurement |
その他のタイトル: | SiCパワートランジスタのC-V測定に基づく電力変換回路のための特性評価 |
著者: | Phankong, Nathabhat |
キーワード: | SiC MOSFET JFET C-V characteristics Switching behavior Device structure |
発行日: | 24-Sep-2010 |
出版者: | 京都大学 (Kyoto University) |
学位授与大学: | 京都大学 |
学位の種類: | 新制・課程博士 |
取得分野: | 博士(工学) |
報告番号: | 甲第15668号 |
学位記番号: | 工博第3326号 |
metadata.dc.date.granted: | 2010-09-24 |
請求記号: | 新制||工||1502(附属図書館) |
整理番号: | 28205 |
研究科・専攻: | 京都大学大学院工学研究科電気工学専攻 |
論文調査委員: | (主査)教授 引原 隆士, 教授 木本 恒暢, 教授 和田 修己 |
学位授与の要件: | 学位規則第4条第1項該当 |
著作権等: | 許諾条件により要旨・本文は2011-09-23に公開 |
DOI: | 10.14989/doctor.k15668 |
URI: | http://hdl.handle.net/2433/126807 |
出現コレクション: | 090 博士(工学) |

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