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dc.contributor.authorOhtsubo, Yoshiyukien
dc.contributor.authorHatta, Shinichiroen
dc.contributor.authorYaji, Koichiroen
dc.contributor.authorOkuyama, Hiroshien
dc.contributor.authorMiyamoto, Kojien
dc.contributor.authorOkuda, Taichien
dc.contributor.authorKimura, Akioen
dc.contributor.authorNamatame, Hirofumien
dc.contributor.authorTaniguchi, Masakien
dc.contributor.authorAruga, Tetsuyaen
dc.contributor.alternative有賀, 哲也ja
dc.date.accessioned2011-01-11T03:03:32Z-
dc.date.available2011-01-11T03:03:32Z-
dc.date.issued2010-11-
dc.identifier.issn1098-0121-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/134560-
dc.description.abstractA pair of different surface-state and surface-resonance bands has been identified on Bi/Ge(111)-(√3×√3)R30° by a combined experimental and computational study. The wave functions of the states have negligible amplitude at Bi atoms and are extended over more than 20 subsurface layers. These bands exhibit characteristic spin structure, which is ascribed to the combined Rashba and atomic spin-orbit interaction (SOI). Unlike previously known surface Rashba systems, the spin polarization is induced by SOI of a light element (Ge) with negligible contribution of a heavier one (Bi).en
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isoeng-
dc.publisherThe American Physical Societyen
dc.rights© 2010 The American Physical Societyen
dc.titleSpin-polarized semiconductor surface states localized in subsurface layersen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.ncidAA11187113-
dc.identifier.jtitlePhysical Review Ben
dc.identifier.volume82-
dc.identifier.issue20-
dc.relation.doi10.1103/PhysRevB.82.201307-
dc.textversionpublisher-
dc.identifier.artnum201307(R)-
dcterms.accessRightsopen access-
出現コレクション:学術雑誌掲載論文等

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