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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Ramesh, V. | en |
| dc.contributor.author | Kikuchi, Akihiko | en |
| dc.contributor.author | Kishino, Katsumi | en |
| dc.contributor.author | Funato, Mitsuru | en |
| dc.contributor.author | Kawakami, Yoichi | en |
| dc.date.accessioned | 2011-09-12T06:24:20Z | - |
| dc.date.available | 2011-09-12T06:24:20Z | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.issn | 0021-8979 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/146393 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | AMER INST PHYSICS | en |
| dc.title | Strain relaxation effect by nanotexturing InGaN/GaN multiple quantum well | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS | en |
| dc.identifier.volume | 107 | - |
| dc.identifier.issue | 11 | - |
| dc.relation.doi | 10.1063/1.3369434 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dc.identifier.artnum | 114303/1-6 | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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