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完全メタデータレコード
DCフィールド | 値 | 言語 |
---|---|---|
dc.contributor.author | Furuta, Mamoru | en |
dc.contributor.author | Kamada, Yudai | en |
dc.contributor.author | Kimura, Mutsumi | en |
dc.contributor.author | Hiramatsu, Takahiro | en |
dc.contributor.author | Matsuda, Tokiyoshi | en |
dc.contributor.author | Furuta, Hiroshi | en |
dc.contributor.author | Li, Chaoyang | en |
dc.contributor.author | Fujita, Shizuo | en |
dc.contributor.author | Hirao, Takashi | en |
dc.date.accessioned | 2011-09-13T00:26:48Z | - |
dc.date.available | 2011-09-13T00:26:48Z | - |
dc.date.issued | 2010 | - |
dc.identifier.issn | 0741-3106 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/146697 | - |
dc.language.iso | eng | - |
dc.publisher | IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC | en |
dc.subject | Hump characteristics | en |
dc.subject | intrinsic defects | en |
dc.subject | sputtering | en |
dc.subject | thermal desorption spectroscopy (TDS) | en |
dc.subject | thin-film transistors (TFTs) | en |
dc.subject | trap density | en |
dc.subject | zinc oxide | en |
dc.title | Analysis of Hump Characteristics in Thin-Film Transistors With ZnO Channels Deposited by Sputtering at Various Oxygen Partial Pressures | en |
dc.type | journal article | - |
dc.type.niitype | Journal Article | - |
dc.identifier.jtitle | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | en |
dc.identifier.volume | 31 | - |
dc.identifier.issue | 11 | - |
dc.identifier.spage | 1257 | - |
dc.identifier.epage | 1259 | - |
dc.relation.doi | 10.1109/LED.2010.2068276 | - |
dc.textversion | none | - |
dcterms.accessRights | metadata only access | - |
出現コレクション: | 英文論文データベース |

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