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完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Miyake, Hiroki | en |
| dc.contributor.author | Kimoto, Tsunenobu | en |
| dc.contributor.author | Suda, Jun | en |
| dc.date.accessioned | 2011-09-13T00:29:05Z | - |
| dc.date.available | 2011-09-13T00:29:05Z | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.issn | 0741-3106 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/146883 | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC | en |
| dc.subject | Aluminum gallium nitride (AlGaN) | en |
| dc.subject | common-emitter mode | en |
| dc.subject | current gain | en |
| dc.subject | heterojunction bipolar transistor (HBT) | en |
| dc.subject | silicon carbide (SiC) | en |
| dc.title | Demonstration of Common-Emitter Operation in AlGaN/SiC Heterojunction Bipolar Transistors | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS | en |
| dc.identifier.volume | 31 | - |
| dc.identifier.issue | 9 | - |
| dc.identifier.spage | 942 | - |
| dc.identifier.epage | 944 | - |
| dc.relation.doi | 10.1109/LED.2010.2052012 | - |
| dc.textversion | none | - |
| dcterms.accessRights | metadata only access | - |
| 出現コレクション: | 英文論文データベース | |
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