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dc.contributor.authorSuda, Junen
dc.contributor.authorYamaji, Kazukien
dc.contributor.authorHayashi, Yuichirouen
dc.contributor.authorKimoto, Tsunenobuen
dc.contributor.authorShimoyama, Kenjien
dc.contributor.authorNamita, Hideoen
dc.contributor.authorNagao, Satoruen
dc.date.accessioned2011-09-13T00:29:06Z-
dc.date.available2011-09-13T00:29:06Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.issn1882-0778-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/146884-
dc.language.isoeng-
dc.publisherJAPAN SOC APPLIED PHYSICSen
dc.titleNearly Ideal Current-Voltage Characteristics of Schottky Barrier Diodes Formed on Hydride-Vapor-Phase-Epitaxy-Grown GaN Free-Standing Substratesen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.jtitleAPPLIED PHYSICS EXPRESSen
dc.identifier.volume3-
dc.identifier.issue10-
dc.relation.doi10.1143/APEX.3.101003-
dc.textversionnone-
dc.identifier.artnum101003-
dcterms.accessRightsmetadata only access-
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