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タイトル: STUDY ON UNIFORM NEUTRON IRRADIATION FOR SILICON-INGOT IN NEUTRON TRANSMUTATION DOPING
その他のタイトル: 中性子変換ドーピングにおけるシリコンインゴットの中性子均一照射に関する研究
著者: Kim, Hak Sung
著者名の別形: 金, 學成
発行日: 26-Sep-2011
出版者: Kyoto University
学位授与大学: 京都大学
学位の種類: 新制・課程博士
取得分野: 博士(エネルギー科学)
報告番号: 甲第16422号
学位記番号: エネ博第244号
学位授与年月日: 2011-09-26
請求記号: 新制||エネ||52(附属図書館)
整理番号: 29053
研究科・専攻: 京都大学大学院エネルギー科学研究科エネルギー基礎科学専攻
論文調査委員: (主査)教授 三澤 毅, 教授 宇根﨑 博信, 教授 中島 健
学位授与の要件: 学位規則第4条第1項該当
URI: http://hdl.handle.net/2433/151902
出現コレクション:120 博士(エネルギー科学)

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