このアイテムのアクセス数: 471
このアイテムのファイル:
| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| elex.7.1051.pdf | 553.84 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
完全メタデータレコード
| DCフィールド | 値 | 言語 |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Phankong, Nathabhat | en |
| dc.contributor.author | Funaki, Tsuyoshi | en |
| dc.contributor.author | Hikihara, Takashi | en |
| dc.date.accessioned | 2012-01-11T05:11:47Z | - |
| dc.date.available | 2012-01-11T05:11:47Z | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.issn | 1349-2543 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/152258 | - |
| dc.format.mimetype | application/pdf | - |
| dc.language.iso | eng | - |
| dc.publisher | IEICE-INST ELECTRONICS INFORMATION COMMUNICATIONS ENG | en |
| dc.rights | (c) 社団法人電子情報通信学会 | ja |
| dc.subject | C-V characteristics | en |
| dc.subject | switching characteristics | en |
| dc.subject | SiC | en |
| dc.subject | JFET | en |
| dc.subject | device structure | en |
| dc.title | Switching characteristics of lateral-type and vertical-type SiC JFETs depending on their internal parasitic capacitances | en |
| dc.type | journal article | - |
| dc.type.niitype | Journal Article | - |
| dc.identifier.jtitle | IEICE ELECTRONICS EXPRESS | en |
| dc.identifier.volume | 7 | - |
| dc.identifier.issue | 14 | - |
| dc.identifier.spage | 1051 | - |
| dc.identifier.epage | 1057 | - |
| dc.relation.doi | 10.1587/elex.7.1051 | - |
| dc.textversion | publisher | - |
| dc.relation.url | http://www.ieice.org/eng/trans_online/index.html | - |
| dcterms.accessRights | open access | - |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 | |
このリポジトリに保管されているアイテムはすべて著作権により保護されています。