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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| ykogr02253.pdf | Abstract_要旨 | 207.24 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
| D_Miyake_Masayasu.pdf | Dissertation_全文 | 11.7 MB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | イオン注入によるSi中の不純物分布制御とその応用に関する研究 |
| 著者: | 三宅, 雅保  |
| 著者名の別形: | Miyake, Masayasu |
| 発行日: | 23-May-1989 |
| 出版者: | 京都大学 |
| 学位授与大学: | 京都大学 |
| 学位の種類: | 新制・論文博士 |
| 取得分野: | 工学博士 |
| 報告番号: | 乙第6903号 |
| 学位記番号: | 論工博第2253号 |
| metadata.dc.date.granted: | 1989-05-23 |
| 請求記号: | 新制||工||773(附属図書館) |
| 論文調査委員: | (主査)教授 川端 昭, 教授 松波 弘之, 教授 佐々木 昭夫 |
| 学位授与の要件: | 学位規則第5条第2項該当 |
| DOI: | 10.14989/doctor.r6903 |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/162230 |
| 出現コレクション: | 090 博士(工学) |
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