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PhysRevB.87.161204.pdf | 868.75 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
完全メタデータレコード
DCフィールド | 値 | 言語 |
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dc.contributor.author | Ishii, Ryota | en |
dc.contributor.author | Funato, Mitsuru | en |
dc.contributor.author | Kawakami, Yoichi | en |
dc.contributor.alternative | 石井, 良太 | ja |
dc.date.accessioned | 2013-05-21T00:19:23Z | - |
dc.date.available | 2013-05-21T00:19:23Z | - |
dc.date.issued | 2013-04 | - |
dc.identifier.issn | 1098-0121 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/174057 | - |
dc.description.abstract | Optical spectroscopy is performed for c-plane homoepitaxial aluminum nitride (AlN) films. The temperature dependence of the polarization-resolved photoluminescence spectra reveals the exciton fine structure. The experimental results demonstrate that the electron-hole exchange interaction energy (j) in AlN is j=6.8 meV, which is the largest value for typical III-V and II-VI compound semiconductors. We propose the effective interatomic distance as the criterion of the electron-hole exchange interaction energy, revealing a universal rule. This study should encourage potential applications of excitonic optoelectronic devices in nitride semiconductors similar to those using II-VI compound semiconductors. | en |
dc.format.mimetype | application/pdf | - |
dc.language.iso | eng | - |
dc.publisher | American Physical Society | en |
dc.rights | ©2013 American Physical Society | en |
dc.title | Huge electron-hole exchange interaction in aluminum nitride | en |
dc.type | journal article | - |
dc.type.niitype | Journal Article | - |
dc.identifier.ncid | AA11187113 | - |
dc.identifier.jtitle | Physical Review B | en |
dc.identifier.volume | 87 | - |
dc.identifier.issue | 16 | - |
dc.relation.doi | 10.1103/PhysRevB.87.161204 | - |
dc.textversion | publisher | - |
dc.identifier.artnum | 161204 | - |
dcterms.accessRights | open access | - |
出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
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