1. Kyoto University Research Information Repository
  2. 090　工学研究科・工学部
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dc.contributor.authorSon, N. T.en
dc.contributor.authorTrinh, X. T.en
dc.contributor.authorLovlie, L. S.en
dc.contributor.authorSvensson, B. G.en
dc.contributor.authorKawahara, K.en
dc.contributor.authorSuda, J.en
dc.contributor.authorKimoto, T.en
dc.contributor.authorUmeda, T.en
dc.contributor.authorIsoya, J.en
dc.contributor.authorMakino, T.en
dc.contributor.authorOhshima, T.en
dc.contributor.authorJanzen, E.en
dc.date.accessioned2014-06-13T04:57:24Z-
dc.date.available2014-06-13T04:57:24Z-
dc.date.issued2012-10-31-
dc.identifier.issn0031-9007-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/187997-
dc.description.abstractUsing electron paramagnetic resonance (EPR), energy levels of the carbon vacancy (Vc) in 4H-SiC and its negative-U properties have been determined. Combining EPR and deep-level transient spectroscopy we show that the two most common defects in as-grown 4H-SiC—the Z[1/2] lifetime-limiting defect and the EH7 deep defect—are related to the double acceptor (2−|0) and single donor (0|+) levels of Vc, respectively.en
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isoeng-
dc.publisherAmerican Physical Society (APS)en
dc.rights© 2012 American Physical Societyen
dc.titleNegative-U System of Carbon Vacancy in 4H-SiCen
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.ncidAA00773679-
dc.identifier.jtitlePhysical Review Lettersen
dc.identifier.volume109-
dc.identifier.issue18-
dc.relation.doi10.1103/PhysRevLett.109.187603-
dc.textversionpublisher-
dc.identifier.artnum187603-
dc.identifier.pmid23215331-
dcterms.accessRightsopen access-
dc.identifier.pissn0031-9007-
dc.identifier.eissn1079-7114-
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