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PhysRevB.90.201307.pdf845.78 kBAdobe PDF見る/開く
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dc.contributor.authorEguchi, G.en
dc.contributor.authorKuroda, K.en
dc.contributor.authorShirai, K.en
dc.contributor.authorKimura, A.en
dc.contributor.authorShiraishi, M.en
dc.contributor.alternative江口, 学ja
dc.date.accessioned2014-12-24T06:16:06Z-
dc.date.available2014-12-24T06:16:06Z-
dc.date.issued2014-11-11-
dc.identifier.issn1098-0121-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/2433/192760-
dc.description.abstractWe report the observation of two-dimensional Shubnikov–de Haas (SdH) oscillations in the topological insulator Tl{1−x}Bi{1+x}Se{2}. Hall effect measurements exhibited electron-hole inversion in samples with bulk insulating properties. The SdH oscillations accompanying the hole conduction yielded a large surface carrier density of ns=5.1×10(12) cm(−2), with the Landau-level fan diagram exhibiting the π Berry phase. These results showed the electron-hole reversibility around the in-gap Dirac point and the hole conduction on the surface Dirac cone without involving the bulk metallic conduction.en
dc.format.mimetypeapplication/pdf-
dc.language.isoeng-
dc.publisherAmerican Physical Societyen
dc.rights©2014 American Physical Societyen
dc.titleSurface Shubnikov–de Haas oscillations and nonzero Berry phases of the topological hole conduction in Tl{1−x}Bi{1+x}Se{2}en
dc.typejournal article-
dc.type.niitypeJournal Article-
dc.identifier.ncidAA11187113-
dc.identifier.jtitlePhysical Review Ben
dc.identifier.volume90-
dc.identifier.issue20-
dc.relation.doi10.1103/PhysRevB.90.201307-
dc.textversionpublisher-
dc.identifier.artnum201307-
dcterms.accessRightsopen access-
出現コレクション:学術雑誌掲載論文等

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