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ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
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PhysRevB.90.201307.pdf | 845.78 kB | Adobe PDF | 見る/開く |
完全メタデータレコード
DCフィールド | 値 | 言語 |
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dc.contributor.author | Eguchi, G. | en |
dc.contributor.author | Kuroda, K. | en |
dc.contributor.author | Shirai, K. | en |
dc.contributor.author | Kimura, A. | en |
dc.contributor.author | Shiraishi, M. | en |
dc.contributor.alternative | 江口, 学 | ja |
dc.date.accessioned | 2014-12-24T06:16:06Z | - |
dc.date.available | 2014-12-24T06:16:06Z | - |
dc.date.issued | 2014-11-11 | - |
dc.identifier.issn | 1098-0121 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/2433/192760 | - |
dc.description.abstract | We report the observation of two-dimensional Shubnikov–de Haas (SdH) oscillations in the topological insulator Tl{1−x}Bi{1+x}Se{2}. Hall effect measurements exhibited electron-hole inversion in samples with bulk insulating properties. The SdH oscillations accompanying the hole conduction yielded a large surface carrier density of ns=5.1×10(12) cm(−2), with the Landau-level fan diagram exhibiting the π Berry phase. These results showed the electron-hole reversibility around the in-gap Dirac point and the hole conduction on the surface Dirac cone without involving the bulk metallic conduction. | en |
dc.format.mimetype | application/pdf | - |
dc.language.iso | eng | - |
dc.publisher | American Physical Society | en |
dc.rights | ©2014 American Physical Society | en |
dc.title | Surface Shubnikov–de Haas oscillations and nonzero Berry phases of the topological hole conduction in Tl{1−x}Bi{1+x}Se{2} | en |
dc.type | journal article | - |
dc.type.niitype | Journal Article | - |
dc.identifier.ncid | AA11187113 | - |
dc.identifier.jtitle | Physical Review B | en |
dc.identifier.volume | 90 | - |
dc.identifier.issue | 20 | - |
dc.relation.doi | 10.1103/PhysRevB.90.201307 | - |
dc.textversion | publisher | - |
dc.identifier.artnum | 201307 | - |
dcterms.accessRights | open access | - |
出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |

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