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| ファイル | 記述 | サイズ | フォーマット | |
|---|---|---|---|---|
| ieice.110008689351.pdf | 1.13 MB | Adobe PDF | 見る/開く |
| タイトル: | Ti基自己形成バリア構造の誘電体層組成依存性 |
| その他のタイトル: | Dependence of Ti-Based Self-Formed Barrier Structure on Dielectric-Layer Composition |
| 著者: | 小濱, 和之  伊藤, 和博 薗林, 豊 大森, 和幸 森, 健壹 前川, 和義 白井, 泰治 村上, 正紀 |
| 著者名の別形: | KOHAMA, Kazuyuki ITO, Kazuhiro SONOBAYASHI, Yutaka OHMORI, Kazuyuki MORI, Kenichi MAEKAWA, Kazuyoshi SHIRAI, Yasuharu MURAKAMI, Masanori |
| キーワード: | LSI Cu配線 Cu(Ti) RBS XPS |
| 発行日: | Jan-2011 |
| 出版者: | 一般社団法人 電子情報通信学会 |
| 誌名: | 電子情報通信学会技術研究報告. SDM, シリコン材料・デバイス |
| 巻: | 110 |
| 号: | 408 |
| 開始ページ: | 31 |
| 終了ページ: | 35 |
| 抄録: | 我々は, Cu(Ti)合金薄膜と誘電体層との界面反応を用いた「Ti基自己形成バリア」を検討してきた. 近年, Ti基自己形成バリアが45nmノードのデュアルダマシン配線形成プロセスに適用され, 従来のTa/TaNバリアと同等以上の高いバリア性を持つことが示されたが, バリアの微細構造や高バリア性の原因は明らかではなかった. 本稿では, X線光電子分光法(XPS)を用いたTiの化学状態の解析により, 種々の誘電体層上に作製したTi基自己形成バリア中のTi化合物を直接同定し, Ti基自己形成バリアの微細構造および高バリア性の原因について詳細に考察した結果について述べる. Ti-based self-formed barrier layer using Cu(Ti) alloy seed applied to 45 nm-node dual-damascene interconnects was reported to have sufficient barrier strength to prevent Cu diffusion into dielectrics. However, the barrier structure such as a volume fraction and a position of the constituent Ti compounds were unknown. Thus, barrier mechanism of the self-formed Ti-based barrier layers was indistinct. In the present study, we employed an X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) technique with simultaneous Ar etching, to investigate systematically the barrier structure of the Ti-based barrier layers self-formed on several dielectrics. |
| 記述: | 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである |
| 著作権等: | copyright ©2011 by IEICE |
| URI: | http://hdl.handle.net/2433/193823 |
| 出現コレクション: | 学術雑誌掲載論文等 |
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